MT40A512M16JY-083E vs MT40A512M16LY-062E AAT:E 比較
詳細な並列比較: MT40A512M16JY-083E メーカー: Micron Technology および MT40A512M16LY-062E AAT:E メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Micron Technology
MT40A512M16JY-083E - 8Gb DDR4 SDRAM 2400MT/s x16 | Micron
MT40A512M16JY-083E ✓ 生産中Micron Technology
MT40A512M16LY-062E AAT:E - 8Gbit DDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron
MT40A512M16LY-062E AAT:E ✓ 生産中仕様比較
| パラメータ | MT40A512M16JY-083E | MT40A512M16LY-062E AAT:E |
|---|---|---|
| ブランド | Micron Technology | Micron Technology |
| カテゴリ | DRAM | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $5.85 | $9.20 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM (Automotive) | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | — |
| メモリ構成 | 512M x 16 | — |
| Clock Frequency | 1.2 GHz (tCK = 0.83 ns) | 1.6 GHz |
| データレート | 2400 MT/s (speed grade -083E) | — |
| VDD Supply Voltage | 1.2 V +/- 60 mV | — |
| VDDQ Supply Voltage | 1.2 V +/- 60 mV | — |
| VPP Supply Voltage | 2.5 V, -125 mV, +250 mV | — |
| I/O Interface | 1.2 V pseudo open-drain | — |
| VREFDQ | On-die internal adjustable generation | — |
| Refresh Structure | 8192-cycle refresh | — |
| Refresh Window | 64 ms at -40C to 85C; 32 ms at >85C to 95C; 16 ms at >95C | — |
| パッケージ | 96-FBGA (8 x 14 mm) | 96-FBGA (7.5 x 13.5 mm) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| ECCN | EAR99 | — |
| ハロゲンフリー | Compliant | — |
| Country of Origin | China | — |
| メモリサイズ | — | 8 Gbit (1 GB) |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| インターフェース | — | Parallel |
| Access Time | — | 19 ns |
| 電源電圧 | — | 1.2 V |
| Speed Grade | — | 062E |
| 動作温度 | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Package Height | — | [DATA_NEEDED: package max height] |
| MSL Rating | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Ordering Code Suffix | — | AAT:E (temperature/package option per Micron code) |
| RoHS ステータス | — | Compliant |
| Moisture Packaging | — | [DATA_NEEDED: packing type for AAT:E suffix] |
| Data Rate Class | — | DDR4-3200 (062E speed bin) |